1nm芯片，突破极限！台积电公布，外媒：成本过高

taobao747:
工艺上目前最高7纳米，所谓的四纳米，三纳米其实都不是工艺上的三纳米，而是芯片构架的变化带来的算力升级，业内称之为“等效”举个。简单的例子，你用笔在A4纸上弯弯曲曲的画线 可能画几根就画不下了，再画就要交叉重叠。但是你严格画直，画圆则可以画很多条线。同等面积下线越多越强

【回复】我就是设计芯片的，这个哥们说的是对的，所谓的厂商说的话，都是工艺的进步，每个厂商对于 所称 nm 对应的实际 nm 工艺都是不一样的，芯片还有进步空间，现在用的是 finfet 的技术，以后会用到 gaa 工艺，1 纳米后面还有很大进步空间[笑哭]
【回复】回复 @Goeronsan :详细回复：目前按照94年nrds定义的工艺节点（1994年，工艺节点被首次定义，非常明确地指出了工艺节点是由互连层表示的最紧密层的半距离），就目前来说，以2022年的finfet工艺，代号为g48m24的工艺代号来说，这个工艺也只有12nm，对应节点标签“3nm”。我不知道你所谓的“基本上所有大型公司都实现了7nm”是指哪些公司，欢迎批评指正
【回复】回复 @谁在呼唤- :功耗你确定是越来越高？8gen3功耗还不如翻车的888和8gen1。而且不看能耗比就谈功耗就像抛开剂量谈毒性，就是耍流氓。芯片制程的进步是有目共睹的，不论是高通8gen系列从8+到8gen3，还是天玑9100到9300都是能耗比越来越低，性能也越来越强。同时手机的散热能力也越来越强，从普通vc散热到现在的环形风道vc，不看技术进步差不多得了。
鬼不点灯:
根本没有必要研发一纳米，还不如研究三进制，毕竟以前是有使用三进制程序的，只不过那时候三进制芯片因为技术原因难以缩小化，所以选择了二进制，现在不一样了，能够进行大幅度缩小，即便是二十八纳米的三进制估计也不会比七纳米的差，而且三进制还可以兼容二进制，并不会形成一个隔离壁，也要比二进制运算速度快上许多，继续研究二进制芯片得不偿失，继续下去的话所要求的技术会越来越高，与同级别的三进制相比还差上许多

【回复】有没有考虑过硬件条件呢？三进制在软件层面确实容易实现 但是 你在硬件层面你要怎么表示呢 二进制只有10 也就等于传递编码只有开关两种状态 你多一个状态势必会增加设计难度以及出错概率 二进制发展到现在都有半个世纪多了 等到所谓的三进制超过二进制 可能出现不用电来传递信息的方式了
【回复】又是三进制 凡是有三进制的都不用看 没有一点专业素养 厨子指导将军打仗的水平 真的 你们喜欢夸夸其谈麻烦去军事政治经济区 别来理工科指手画脚的 让你聪明完了 麻烦去了解一下电信工程计算机科学行吗？ 但凡看了专业书也不至于说出这么外行的话 别一天在理工专业领域里发电乱说行吗 靠你们乱说根本没法让行业进步
【回复】运算效率最高的是e，与它最接近的确实是3，另外苏联当时有三进制的电脑，确实快，但是时买一台二进制的电脑要花好多钱，这样就能吃回扣，再加上工艺的升级，所以苏联三进制电脑嘎了
微瑕无伤:
嗯标准的营销号视频，顺便给各位科普一下芯片的工艺[doge][doge][doge]。一开始时候，芯片的名称确实代表了晶体栅格之间的距离，但是，在接近28纳米的时候，量子隧穿导致的漏电效应已经比较明显了，再缩小距离，就会导致漏电，功耗升高和性能反而降低，反而得不偿失。于是只能从工艺上进行改变，把这些晶体管比作积木，就是改变其堆叠方法，使得堆叠效率提高，塞进更多晶体管，同时隔绝影响。但是这个命名方法就此流传下来，为了区分不同迭代产品，不论是7nm，5nm，本质上都不可能达到这么小，因此懂得人就当看个笑话就好了。

【回复】电脑和手机上面的芯片完全是两个发展方向，电脑追求的是多线程，计算量大，性能猛，毕竟功率散热能跟上，芯片显卡功率随随便便就上百瓦，而手机芯片就不得不考虑能耗和散热了，因此手机主打芯片一个能耗比高，能耗必须要低。芯片工艺也有性能库和密度库区别，能塞进的晶体管数量也有差别，密度库能耗比更好，性能库频率可以跑很好，能耗就自然高，手机多用密度库，电脑多用性能库，手机和电脑本身就不是一概而论的，两者都有各自擅长的地方，需要看情况来决定
【回复】回复 @旭日满星 :这个4纳米只是台积电的工艺名称而已，每一代工艺迭代总要取一个名字，总不能往大取，只能往小取。
【回复】回复 @旭日满星 :差不多，可以这么说，但是还是有区别的，工艺改进和封装技术提高确实是实打实的提高了晶体管的数量，因此不用太纠结这个问题，但是现在也基本上达到瓶颈了，不过据我所知，还有另外的结构可以做到更窄间距，发挥更好的性能。现在的主流结构是mosfet，技术也是最成熟的，而finfet这种结构更好，但是工艺还不成熟，像台积电3纳米，据说麒麟9000s也是用的这种结构