MOS管与IGBT区别讲解

海湾的故事:
mos频率效果好，功率低，自损大 IGBT频率低，功率大，自损小

哈达丽:
碳化硅mos已经解决了mos高压导通电阻高的缺点，目前电动车领域碳化硅mos研发成果，比亚迪和特斯拉为前二，蔚来号称自己第三，以后igbt会被碳化硅mos取代

TO-247封装7805plus:
mos管导通电阻不高啊，绝大多数只有几个mΩ或者几十mΩ，但是流过mos管电流高时压降会比igbt管高。

【回复】耐压高了以后mos电阻就高的多 你对比一下600v~1000v的就知道了
【回复】低压管导通内阻很低的，零点几毫欧的都有，耐压30伏左右。高压管就不行，即使处于完全导通状态下，内阻也有几百毫欧，特殊的除外
云梯独步:
民间说法：IGBT的耐压 与 输出电流 是MOS管×三极管

【回复】igbt就是多了电导调制的mos
【回复】我觉得的主要是电流电压区别……
白云黑土886:
加单的一句话说的好磨叽:还问我学费了吗？简单说就是-埃及鼻涕大功低频[思考]

小弟法江:
我也都听着你再说电焊机[tv_斜眼笑]，这电焊机好像也有这东西[tv_坏笑]

囡宁囝:
读音能不能读成 “shan” 啊 “zha” 感觉很陌生 虽然 “栅” 这个字 读 “zha”和“shan”都可以……[打call]