LDO基本原理与仿真实现(一)

好运的团子同学:
LDO是“低压差线性稳压器件”，那么该电路的目的落脚在保证Vo稳定不变。定性理解up给的 Vo=Vi-Io*r 这个式子，为了保证Vo稳定，在Io增大时需要降低r。将左上角位于恒流区的NMOS理解为可变电阻器（阻值随VGS增大而减小），放大器amp的存在使得Io增大时VGS增大，进而实现r的降低。

工程师看海:
07:46，7分46秒的地方，讲的快了一步先把结论给抛了出来，补充下，刚开始Vo是降低的，状态由A到B，随着Vg（Vgs）上升，导致Vds压差减小，Vo又渐渐上升回来，这就是说的Vo上升、Io上升的由来，非常绕

【回复】Vgs上升，为什么Vds压降减小
【回复】回复 @工程师看海 :我觉得应该是vgs对电流变化的控制能力是大大强于vds的控制，当vg变大，加上之前vo减小，这里会对电流有一个超额补偿，所以vo不需要那么大，变小一点就行
【回复】回复 @工程师看海 :我感觉您视频下面这个电压源电阻分压模型不太对，或者说，需要调整。我们假设一下，如果整体电流增大，而电压源内阻、负载电阻都不变的话，会导致这两个电阻所分到的电压都增大，其结果就是只能电源电压增大——只有这样才能满足该假设情况。但估计up主想讲的并不是这样的应用场景。 更实际一点，我们是不是可以将场景调整为，负载电阻减小，导致整体电流增大，输出电压减小这个模型呢？
并不存在此用户:
我个人有一些理解，不知道对不对。我觉得这里应该把输出电容考虑进去，这个很重要。负载电流增加的瞬间，其实MOS管电流是不变的，是输出电容放电补电流。电容放电导致Vout降低，Vout降低导致误差放大器输出增加，Vgs增加，Vgs增加导致mos电流增大，mos电流增大后给电容充电。电容充电后Vout升高重新进入稳态。不知道我讲的有没有问题～

【回复】按up讲的逻辑，输出电流增大的瞬间，反馈还没进行，vgs还没变化，那么ID是不会变动的。所以我认为此时增加的电流是输出电容提供的。当然这也是我个人的想法，希望可以和大家讨论学习
电器小医生:
已投币，请问nmos的ldo和pmos的有什么区别

【回复】nmos一般电流大，需要额外有偏压
【回复】请问Io增加的话，那负载R是不是就降低了，
【回复】回复 @52wxx :理清你的需求，一般不建议自己做
工程师看海:
喜欢的同学记得一键三连，关注公众号：工程师看海[来古-沉思]

【回复】你最后这里说的都错的，你自己好好看看吧
【回复】回复 @高端玩家2021 :07:46，7分46秒的地方，讲的快了一步先把结论给抛了出来，补充下，刚开始Vo是降低的，状态由A到B，随着Vg（Vgs）上升，导致Vds压差减小，Vo又渐渐上升回来，这就是说的Vo上升、Io上升的由来，非常绕。视频突然抛结论，是会让人蒙圈。。。。
古my:
最后应该是VGS增大，导通电阻r减小，使Vo增大；Io和r一定是相反着变化才会使Vo稳定。

吃不胖的巧克力猪:
看了这个视频觉得讲的很清晰，但是当输入电压突然变大的时候，负载不变，又是怎么样的调节过程。

【回复】输入电压升高是MOS的Vds升高，Id变大，输出电压升高，误差放大器检测到反馈电压升高从而降低MOS的Vgs以降低Id，逐渐稳定使得R2分压仍然等于Vref
未来一定会来:
其实可不可以理解为 vout=io*Rl然后负载电阻变了，要保持这个电压不变，就只能改变io vout减小就要增大io vout变大就要减少io通过pmos管来控制 平衡点是vout等于某个值

青城墨白雪:
轻载就是在可变电阻区好吧，自己说的太绝对了

胡一八hpy:
支持，微信公众号里关注的，希望以后多出视频

咖啡饼干呗:
up您好，电源管理芯片，大部分datasheet中会有静态电流Iq的参数，部分datasheet会有转换效率Efficiency，搞不懂这两个什么区别，我在设计低功耗电路时候，在电源芯片选型时，应该选择哪种呢？[小电视_困惑]

【回复】回复 @小米气态键盘 :好的！多谢UP主指点![支持]
【回复】LDO基本不会提转换效率，通常提转换效率的是开关式DCDC，例如MP1584EN这种。Iq就是输出电流为0时IC的耗电，和运放的静态电流基本上是一个东西，LDO内部的核心元件也是一个运放加一个基准，在设计低功耗设备的时候更多的应该考虑静态电流。LDO和开关式DCDC的选择是看纹波需求，压差和电流需求
ilincs:
up你好，这个op和mos有推荐型号吗，谢谢